图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： 3EZ190DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ190DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ190DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ190DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ190DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ190DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ190DE3/TR12 是 Vishay（威世）生产的玻璃钝化齐纳二极管，标称稳压值为190V，额定功率为3W（DO-41封装），采用TR12卷带包装。其主要应用场景包括： 1. 高压稳压与基准源：适用于需要高精度、高稳定性的190V直流稳压场合，如工业电源、测试仪器中的参考电压电路。 2. 过压保护（OVP）：常与晶闸管（SCR）或可控硅配合构成“撬棒”（Crowbar）保护电路，在电源输出异常升高时快速触发短路，保护后级敏感器件（如FPGA、ADC、电机驱动IC等）。 3. 浪涌/瞬态抑制辅助电路：虽非TVS器件，但在低频、高能量的过压箝位场景中（如继电器线圈关断反电动势吸收、电磁阀驱动回路），可作为低成本箝位元件使用（需注意功率与响应时间限制）。 4. 高压偏置与分压网络：在光耦隔离反馈、高压DC-DC变换器（如PFC后级）的采样/偏置电路中，提供稳定偏置电流或电压基准点。 注意事项：该器件为单齐纳结构，不具备双向ESD防护能力；190V高稳压值意味着动态阻抗相对较大，不适用于低压、高精度或高频纹波抑制场景；实际应用中需严格校核功耗（P = Vz × Iz），确保散热条件满足3W额定要求，并留足安全裕量。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 190V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ190DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 144.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 190V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 800 欧姆 |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
3EZ190DE3/TR12 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商