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- 型号： 3EZ190D5E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ190D5E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ190D5E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ190D5E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ190D5E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ190D5E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ190D5E3/TR8 是 Vishay（威世）生产的 190V、3W 表面贴装齐纳二极管（DO-41 封装，带卷带包装），属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。其典型应用场景包括： 1. 过压保护与钳位：在电源输入端或敏感电路节点，用于将瞬态电压钳位在190V左右，防止后级IC或器件因浪涌、感应电压而损坏（如工业控制板、继电器驱动回路）。 2. 高电压基准源：在需要稳定高压参考的应用中（如高压电源反馈网络、ADC前端分压校准电路），配合高阻值电阻构成简易稳压基准（注意温漂与动态阻抗影响）。 3. 浪涌吸收与箝位电路：常与TVS或RC缓冲网络配合，用于抑制电感负载（如电磁阀、电机绕组）关断时产生的反向高压尖峰（L·di/dt）。 4. 高压检测与阈值触发：在高压监测电路中作为电压阈值检测元件，当电压达到约190V时导通，驱动光耦或比较器实现告警或保护动作。 需注意：该器件额定功率为3W，实际应用中须确保平均功耗≤3W（考虑脉冲宽度、占空比及散热条件）；其齐纳电压容差为±5%，温度系数约为+0.08%/°C，适用于对精度要求不苛刻但需高耐压的工业场景。不推荐用于精密基准或低噪声模拟电路。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 190V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ190D5E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 144.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 190V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 800 欧姆 |
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