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- 型号： 3EZ190D5E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ190D5E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ190D5E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ190D5E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ190D5E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ190D5E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ190D5E3/TR12 是 Vishay（威世）生产的 190V、3W 表面贴装齐纳二极管（单管），采用 DO-41（轴向）封装，但 TR12 表示卷带包装，适用于自动化贴片生产。其主要应用场景包括： 1. 高压稳压：在工业电源、LED驱动器或高压DC-DC转换器中，为控制电路（如基准源、误差放大器）提供190V高精度稳压参考电压。 2. 过压保护（OVP）：与可控硅（SCR）或晶闸管配合构成 crowbar 电路，在输入电压异常升高时触发短路保护，防止后级器件（如IGBT驱动、传感器）损坏。 3. 电压钳位与浪涌吸收：用于通信设备（如电力载波模块）、电表或HVAC控制系统中，抑制瞬态高压（如雷击感应、开关噪声），将电压钳位于190V附近，提升系统可靠性。 4. 精密分压/基准电路：因具有低动态阻抗（典型值约1kΩ）和良好温度稳定性（TC ≈ +0.07%/°C），可作为高压模拟电路中的稳定偏置点或反馈网络基准。 注意：该器件额定功率3W，需确保PCB具备足够铜箔散热；实际工作电流建议控制在10–15mA以内以兼顾寿命与温升；不适用于高频或快速脉冲箝位场景（响应时间较慢）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 190V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ190D5E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 144.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 190V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 800 欧姆 |
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