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产品简介:
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3EZ190D5/TR12 是一款额定稳压值为190V、功率为3W的单齐纳二极管(Zener Diode),采用DO-41封装,卷带包装(TR12)。其主要应用场景包括: - 高压稳压与基准源:在高压电源电路中提供稳定的190V参考电压,适用于工业控制、仪表电源、LED驱动器等需高精度高压基准的场合。 - 过压保护(OVP):常与可控硅(SCR)或晶闸管配合构成“撬棒(Crowbar)”保护电路,在输入电压异常升高时触发保护,防止后级器件损坏(如开关电源、电机驱动板)。 - 浪涌/瞬态电压钳位:用于吸收瞬时高压脉冲(如继电器关断感应电压、ESD防护前端),但需注意其3W功率限制,通常需串联限流电阻并避免持续功耗超标。 - 高压反馈环路:在隔离型反激或正激电源中,配合光耦实现原边高压侧稳压反馈(如辅助绕组采样稳压)。 - 高压偏置与启动电路:为高压MOSFET栅极驱动器或启动IC提供稳定偏置电压。 注意事项:该器件稳压值高(190V)、动态阻抗较大,不适用于低噪声或高精度基准;使用时须确保平均功耗≤3W,避免热失效;建议留足电压裕量(如实际工作电压≤170V)以提升可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 190V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ190D5/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 144.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 190V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 800 欧姆 |