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- 型号： 3EZ190D/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ190D/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ190D/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ190D/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ190D/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ190D/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ190D/TR8 是一款额定稳压值为190V、功率为3W的单齐纳二极管（Zener Diode），采用DO-41封装，卷带包装（TR8）。其主要应用场景包括： 1. 高压稳压与基准源：在中高压电源电路中提供稳定的190V参考电压，适用于工业控制、仪表电源、LED驱动器或开关电源的辅助稳压支路。 2. 过压保护（OVP）与钳位：并联于敏感电路（如MCU输入端、运放供电轨）前，当瞬态电压超过190V时导通泄流，配合限流电阻实现简单可靠的过压钳位保护。 3. 浪涌吸收与ESD防护辅助：虽非专用TVS，但在低能量脉冲场景下可协同压敏电阻或TVS使用，增强高压瞬变抑制能力（需注意其响应速度与功率耐受限制）。 4. 高压偏置与分压网络：用于高压模拟电路（如光电耦合器输入侧、高压检测采样）中构建稳定偏置点或高阻值分压反馈节点。 注意事项：该器件为玻璃钝化结构，具有较好稳定性与温度特性（典型TC ≈ +0.075%/°C），但不适用于高频或大电流动态调节场合；实际应用中须严格匹配限流电阻以确保功耗≤3W，并留足安全裕量。不推荐用于主电源稳压或高可靠性/汽车级系统（无AEC-Q200认证）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 190V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ190D/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 144.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 190V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 800 欧姆 |
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