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  • 型号: 3EZ18D2/TR8
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ18D2/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ18D2/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ18D2/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ18D2/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ18D2/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip Technology旗下)的3EZ18D2/TR8是一款18V、3W通孔式齐纳二极管(单管),采用DO-41封装,带卷带包装(TR8表示卷带盘装)。其主要应用场景包括:

1. 电压基准与稳压:在低功耗电源电路中为模拟电路(如ADC参考源、传感器供电、运算放大器偏置)提供稳定18V基准电压;适用于输入波动较小、负载电流较轻(≤100mA)的场合。

2. 过压保护(OVP)钳位:与TVS或串联限流电阻配合,用于保护后级敏感器件(如MCU I/O口、通信接口)免受瞬态过压(如ESD、感应浪涌)损害,将电压钳位于约18V。

3. 电源反馈环路:在简易线性稳压器(如78xx系列辅助电路)或开关电源的光耦反馈侧,作为误差检测基准点。

4. 工业与嵌入式系统:广泛应用于工业控制板、仪表电源、LED驱动恒压模块、通信设备电源管理单元等对成本、可靠性及温度稳定性(工作结温-65℃~+175℃)有要求的场景。

注:该器件为通用型齐纳管,非精密基准(容差±5%,即17.1–18.9V),不适用于高精度测量;需注意功耗(3W)对应散热条件,建议加适量散热片或确保PCB铜箔面积充足。已停产型号,现由Microchip兼容替代料(如MMSZ5245B系列SMD版)承接,但3EZ18D2/TR8仍在部分老设计及维修市场使用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 18V 2% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ18D2/TR8

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 13.7V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±2%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1,500

电压-齐纳(标称值)(Vz)

18V

阻抗(最大值)(Zzt)

6 欧姆

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