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- 型号： 3EZ180D2E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ180D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ180D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ180D2E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ180D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ180D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ180D2E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为180 V，功率为3 W，采用DO-41封装，带卷带包装（TR12）。其主要应用场景包括： - 高压稳压与基准源：适用于需高精度、高稳定180 V参考电压的电源电路，如工业仪表、测试设备中的电压基准模块。 - 过压保护（OVP）：常与可控硅（SCR）或晶闸管配合构成“撬棍”（Crowbar）保护电路，在电源输出异常升高时触发短路保护，防止后级负载损坏。 - 浪涌/瞬态抑制辅助电路：虽非TVS器件，但在低频、低能量过压场合可作辅助钳位元件，如继电器线圈反电动势吸收、高压偏置电路限幅等。 - 高压电源反馈环路：在开关电源（如CCM模式PFC或高压DC-DC）中，用于采样输出高压并提供误差反馈信号（需搭配分压网络及隔离设计）。 该器件具有良好的长期稳定性、低动态阻抗和宽工作温度范围（-65°C ~ +175°C），适合工业、航天及高可靠性领域。注意：使用时需确保功耗不超过3 W（需合理降额，尤其高温环境），并避免瞬态电流超限。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 180V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ180D2E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 136.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 180V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 700 欧姆 |
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