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- 型号： 3EZ180D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ180D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ180D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ180D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ180D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ180D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ180D2/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为180 V，额定功率为3 W（DO-41封装），具有低动态阻抗和良好温度稳定性。其典型应用场景包括： 1. 高压电源稳压与基准：用于工业电源、X射线设备、激光驱动器等需180 V稳定参考电压的场合，作为并联稳压元件或精密基准源（常配合限流电阻使用）。 2. 过压保护（OVP）与箝位电路：在开关电源、电机驱动或通信接口中，与TVS或MOSFET协同实现瞬态高压箝位，防止后级器件（如IC、光耦）因浪涌或反电动势损坏。 3. 反馈回路电压检测：在高压DC-DC变换器中，分压后接入误差放大器，提供高精度输出电压采样基准。 4. 仪表与测试设备：用于高压校准源、数字万用表（DMM）的内部参考或量程扩展电路。 需注意：该器件为玻璃钝化结构，具备较高可靠性，但须严格控制功耗（避免超3 W持续耗散）、确保散热及串联限流电阻设计合理；不适用于高频或大电流动态调节场景。Microsemi原厂规格书强调其适用于工业与医疗等高可靠性要求环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 180V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ180D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 136.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 180V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 700 欧姆 |
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