Datasheet下载- 型号： 3EZ17D10E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ17D10E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ17D10E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ17D10E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ17D10E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ17D10E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ17D10E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip 收购）生产的一款单齐纳二极管，标称稳压值为17V，功率为3W，采用DO-41封装，带卷带包装（TR8）。其典型应用场景包括： - 电压基准与稳压：在低功耗、非精密电源中作为简单并联稳压器，为参考电路、传感器偏置或小信号电路提供稳定17V基准电压。 - 过压保护（OVP）：与限流电阻配合，用作瞬态电压抑制辅助器件，防止后级电路承受超过17V的异常电压（如浪涌、反向EMF），常用于继电器驱动、电机控制板等工业接口电路。 - 电平钳位与信号整形：在模拟前端或逻辑接口中，将信号峰值钳位于+17V（阳极接地接法）或–17V（阴极接地），实现输入保护或波形限幅。 - 电源反馈环路：在部分离线式AC-DC转换器（如反激拓扑）的初级侧反馈中，配合光耦提供粗略的输出电压监测（需注意精度和温度稳定性限制）。 需注意：该器件为通用型齐纳管，动态阻抗较高、温度系数中等（约±5mV/°C），不适用于高精度或低温漂要求场景；设计时应确保功耗≤3W，并留足散热余量。替代选型建议评估Microchip当前推荐型号（如ZMM系列）以保障长期供货。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 17V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ17D10E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 13V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 17V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 6 欧姆 |
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