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  • 型号: 3EZ170DE3/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ170DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ170DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ170DE3/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ170DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ170DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

3EZ170DE3/TR12 是 Vishay(威世)生产的单个齐纳二极管,标称稳压值为170 V,额定功率为3 W(DO-41封装),具有低动态阻抗和良好温度稳定性。其典型应用场景包括:

1. 高压稳压与基准源:在工业电源、高压DC-DC转换器或仪表电路中,为高电压模拟电路(如ADC参考、运放偏置)提供稳定基准电压。

2. 过压保护(OVP)与钳位:与TVS或串联限流电阻配合,用于保护后级敏感器件(如MCU、传感器接口)免受瞬态高压(如雷击感应、开关浪涌)冲击,将电压钳位于170 V左右。

3. 反馈环路电压检测:在开关电源(如反激式高压输出适配器)的次级侧稳压反馈电路中,与光耦配合实现隔离式高压输出精度控制。

4. 高压偏置/启动电路:在PFC控制器或高压MOSFET驱动电路中,提供启动电流或偏置电压源(需注意功耗限制,通常搭配高阻值启动电阻使用)。

注意事项:该器件最大测试电流IZT为15 mA,实际应用中需确保功耗≤3 W(即I × V ≤ 3 W),避免高温降额失效;不适用于高频或大电流稳压场景,且需考虑齐纳电压的温度系数(约+0.08%/°C)。建议查阅Vishay官方数据手册确认具体电气参数与PCB布局要求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 170V 20% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ170DE3/TR12

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 130.4V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±20%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

4,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

170V

阻抗(最大值)(Zzt)

650 欧姆

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