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产品简介:
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Microsemi Corporation(现已被Microchip收购)的3EZ170D5E3/TR8是一款额定稳压值为170V、功率为3W的单齐纳二极管,采用DO-41封装,带卷带包装(TR8)。其主要应用场景包括: - 高压稳压与参考:适用于需高精度、高稳定性的170V基准电压源场合,如工业电源反馈回路、高压DC-DC转换器的误差放大器参考端。 - 过压保护(OVP)电路:常与晶闸管(SCR)或可控硅配合构成“撬棒”(Crowbar)保护电路,在电源异常升压(如170V以上)时快速触发短路保护,防止后级敏感器件损坏。 - 浪涌/瞬态电压箝位:在高压接口(如通信线路、电机驱动控制板、电力仪表前端)中,用于吸收瞬时高压脉冲(如ESD、雷击感应),限制电压不超过170V。 - 高压偏置与分压网络:为光电耦合器、高压运算放大器或IGBT栅极驱动器提供稳定偏置电压,尤其适用于≥100V的工业及能源系统。 该器件具有低动态阻抗、良好温度稳定性(典型TC ≈ +0.075%/°C)和高可靠性,符合AEC-Q200(部分批次)及工业级温度范围(–65°C ~ +175°C),广泛应用于工业自动化、电力监控、铁路信号、医疗高压电源及航天电源子系统等对安全性和长期稳定性要求严苛的领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 170V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ170D5E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 130.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 170V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 650 欧姆 |