Datasheet下载- 型号： 3EZ170D5E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ170D5E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ170D5E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ170D5E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ170D5E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ170D5E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ170D5E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip 收购）生产的一款单齐纳二极管，标称稳压值为 170 V，额定功率为 3 W（DO-41 封装），具有低动态阻抗和良好温度稳定性。其典型应用场景包括： - 高压基准电压源：在高精度电源、工业仪表或测试设备中，为ADC参考、比较器阈值或反馈环路提供稳定高压基准。 - 过压保护（OVP）与钳位电路：用于开关电源、电机驱动或通信接口的输入端，将瞬态高压（如雷击、感性负载反冲）钳位于170 V附近，保护后级MOSFET、IC等敏感器件。 - 浪涌抑制与ESD防护辅助：配合TVS或压敏电阻构成多级防护，承担持续性中等能量过压（非纳秒级ESD），适用于电力监控、安防系统等工业环境。 - 高压稳压电源辅助电路：在激光驱动器、光电倍增管（PMT）、X射线发生器等需数百伏偏置电压的设备中，作为次级稳压或偏置点微调元件。 注意：该器件为玻璃钝化、轴向引线结构，适用于通孔焊接；因稳压值较高，需确保工作电流在5–100 mA推荐范围内以维持稳压精度，并注意散热设计。实际应用中建议配合限流电阻使用，避免功耗超限。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 170V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ170D5E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 130.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 170V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 650 欧姆 |
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