Datasheet下载- 型号： 3EZ170D2E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ170D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ170D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ170D2E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ170D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ170D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ170D2E3/TR12是一款170V、1.3W高电压齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，具有±2%精密容差（“D2”后缀）和AEC-Q200兼容性（部分批次）。其主要应用场景包括： 1. 高压稳压与基准源：适用于工业电源、HVAC控制板、LED驱动器等需170V稳定参考电压的场合，为误差放大器或PWM控制器提供精准基准。 2. 过压保护（OVP）电路：常用于开关电源（如反激式适配器）、电池管理系统（BMS）中作为电压钳位元件，在输入/母线电压异常升高时导通泄放能量，保护后级MOSFET或IC。 3. 浪涌抑制与箝位：在继电器线圈、感性负载关断回路中，配合TVS或RC网络吸收反电动势；亦用于通信接口（如RS-485总线）前端高压瞬态防护。 4. 测试与测量设备：在高压校准源、电子负载、绝缘耐压测试仪中作为高精度、高稳定性电压基准或分压反馈元件。 该器件具备良好的高温稳定性（工作结温达+175°C）和长期可靠性，特别适合汽车电子（经AEC-Q200认证版本）、工业自动化及能源基础设施等严苛环境。注意：实际应用中需确保功耗不超过1.3W（必要时加散热措施），并留足电压裕量以防瞬态击穿。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 170V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ170D2E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 130.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 170V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 650 欧姆 |
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