Datasheet下载- 型号： 3EZ16DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ16DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ16DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ16DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ16DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ16DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ16DE3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 16V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，带卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源中为模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源）提供稳定16V基准电压；适用于线性稳压器的误差放大器反馈网络或过压保护阈值设定。 2. 过压保护（OVP）：常用于输入端并联钳位，防止瞬态高压（如ESD、浪涌）损坏后级IC（如MCU、运放），配合限流电阻实现简单可靠的保护电路。 3. 电平转换与箝位：在数字接口中限制信号摆幅（如将5V/12V逻辑信号箝位至16V以下），或在开关电源反馈环路中辅助稳压。 4. 工业与通信设备：广泛应用于工业控制模块、PLC接口电路、电信电源管理单元及LED驱动电路中，满足AEC-Q200兼容设计需求（部分批次），具备良好的温度稳定性（±5%容差，TC约±0.07%/°C）和长期可靠性。 该器件具有低动态阻抗（典型值15Ω）、快速响应（纳秒级）及符合RoHS标准等特点，适合空间受限且需高可靠性的嵌入式系统。注意实际应用中需合理选配限流电阻以确保功耗不超3W，并考虑环境温度降额。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 16V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ16DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 12.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 16V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 5.5 欧姆 |
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