Datasheet下载- 型号： 3EZ16D2E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ16D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ16D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ16D2E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ16D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ16D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ16D2E3/TR8是一款16V、3W表面贴装齐纳二极管（DO-41封装，带卷带包装），具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源）中提供稳定16V基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，用于电源输入端箝位瞬态高压（如ESD或浪涌），防止后级IC损坏； 3. 电源反馈环路：在离线式AC-DC适配器或DC-DC转换器中，作为光耦反馈回路的基准元件（需搭配分压网络）； 4. 逻辑电平钳位：在工业控制接口（如PLC I/O模块）中限制信号电压至安全范围（如保护MCU GPIO）； 5. 电池电压监测：在12V/16V铅酸或锂电系统中，辅助实现欠压/过压告警阈值检测（需配合比较器）。 该器件具备良好的温度稳定性（TC ≈ ±0.07%/°C）和长期可靠性，适用于工业控制、通信电源、汽车电子（非安全关键系统）、仪器仪表等中高可靠性场景。注意：因额定功率为3W，实际使用时需确保PCB散热充足，避免持续满载导致热失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 16V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ16D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 12.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 16V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 5.5 欧姆 |
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