Datasheet下载- 型号： 3EZ16D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ16D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ16D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ16D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ16D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ16D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ16D2/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 16V、3W 表面贴装齐纳二极管（单管），采用 DO-214AC（SMA）封装，带卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路或传感器供电中，为ADC参考源、运算放大器偏置等提供稳定16V基准电压；适用于输入波动较小、负载电流较轻（≤10–50mA）的场合。 2. 过压保护（OVP）钳位：常与TVS或串联限流电阻配合，用于保护后级IC（如MCU I/O口、通信接口）免受瞬态过压（如ESD、感应浪涌）损坏，将电压钳位于约16V安全阈值。 3. 电源反馈环路：在小功率开关电源（如反激式适配器）的光耦反馈路径中，作为误差放大器的基准或稳压元件，辅助实现输出电压精度调节。 4. 工业控制与仪器仪表：用于PLC模块、数据采集单元中的信号调理电路，提供可靠、温度稳定性较好的（典型TC ≈ ±0.07%/°C）稳压节点。 注：该器件最大功耗3W，需注意PCB散热设计；齐纳电压容差通常±5%，工作电流建议维持在5–100mA以兼顾稳压精度与温漂。不适用于大电流稳压或高精度基准需求场景（此时应选用带隙基准IC）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 16V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ16D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 12.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 16V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 5.5 欧姆 |
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