Datasheet下载- 型号： 3EZ160DE3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ160DE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ160DE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ160DE3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ160DE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ160DE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ160DE3/TR8是一款额定稳压值为160V、功率为3W的单齐纳二极管，采用DO-41封装，带卷带包装（TR8）。其主要应用场景包括： 1. 高压稳压与基准源：适用于需要高精度、高稳定160V基准电压的模拟电路、高压电源反馈回路或精密仪器仪表中，为ADC参考、比较器阈值或偏置电路提供稳定电压基准。 2. 过压保护（OVP）：常用于开关电源、LED驱动器或工业控制板中，作为瞬态电压抑制辅助元件，与TVS或可控硅配合实现160V级别的过压钳位与保护触发。 3. 浪涌吸收与箝位电路：在继电器线圈、感性负载关断或通信接口（如RS-485长线）中，用作反向电动势箝位器件，防止高压尖峰损坏后级IC。 4. 高压分压/检测电路：与高阻值电阻串联，用于高压直流母线（如180–200V系统）的电压采样与监控，兼顾低功耗与耐压能力。 该器件具有良好的温度稳定性（典型TC ≈ ±0.07%/°C）、低动态阻抗及AEC-Q200兼容性（部分批次），适用于工业电源、医疗设备、通信基站及汽车电子（如车载高压辅助电源）等对可靠性要求较高的场景。需注意：因160V属较高稳压值，设计时应确保功耗不超过3W，并留足散热裕量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 160V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ160DE3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 121.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 160V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 625 欧姆 |
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