Datasheet下载- 型号： 3EZ160D5E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ160D5E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ160D5E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ160D5E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ160D5E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ160D5E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ160D5E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为160 V，功率为3 W，DO-41封装，带AEC-Q200兼容性（部分批次），具有高稳定性和低动态阻抗特性。 其典型应用场景包括： - 高压电源稳压与过压保护：用于工业开关电源、LED驱动器或电池管理系统中，作为160 V基准电压源或箝位元件，防止后级电路受瞬态高压冲击； - 浪涌抑制与ESD防护：在通信接口（如RS-485、CAN总线）或传感器前端，配合TVS或限流电阻，吸收能量达3 W的脉冲过压； - 精密参考电压生成（需外围补偿）：在高压模拟电路中，经温度补偿和滤波后提供相对稳定的160 V基准，适用于高压DAC校准或高压运放偏置； - 电子点火与脉冲发生器：在汽车点火模块或医疗激光驱动电路中，作为触发阈值检测或储能电容放电电压钳位器件。 该器件不适用于低压（<100 V）或高精度（±1%以内）基准场合，且需注意散热设计以维持长期可靠性。由于其高稳压值与中等功率，主要面向工业控制、汽车电子（非安全关键系统）、测试设备及高压电源辅助电路等对耐压与鲁棒性要求较高的领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 160V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ160D5E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 121.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 160V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 625 欧姆 |
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