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  • 型号: 3EZ160D/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ160D/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ160D/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ160D/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ160D/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ160D/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

3EZ160D/TR12 是 Microsemi Corporation(现属 Microchip Technology)推出的单齐纳二极管,标称稳压值为 160 V,额定功率为 3 W(DO-41 封装),采用 TR12 卷带包装,适用于自动化贴片生产。

其主要应用场景包括:  
1. 高压电源稳压与基准:在工业开关电源、LED 驱动器或仪表电源中,为控制电路提供高精度、高稳定性的 160 V 参考电压;  
2. 过压保护(OVP)钳位:与可控硅(SCR)或晶闸管配合构成 crowbar 电路,在电源异常升压时快速导通,触发短路保护,防止后级器件(如 MOSFET、IC)损坏;  
3. 浪涌吸收与箝位:用于继电器线圈、变压器绕组或感性负载关断时的反向电动势抑制,限制电压尖峰至安全范围(≤160 V);  
4. 高压采样与反馈网络:在隔离式 DC-DC 转换器或高压电池管理系统(如储能系统)中,配合分压电阻实现高压侧电压监测与反馈;  
5. 测试与校准设备:作为高压基准源,用于万用表、绝缘耐压测试仪等仪器的内部校准电路。

该器件具有良好的温度稳定性(典型 TCZ ≈ ±0.07%/°C)、低动态阻抗及高可靠性,适用于工业、电力、通信和航空航天等对长期稳定性与耐压能力要求较高的领域。需注意:使用时应确保功耗不超过 3 W,并留有足够散热裕量。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 160V 20% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ160D/TR12

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 121.6V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±20%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

4,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

160V

阻抗(最大值)(Zzt)

625 欧姆

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