Datasheet下载- 型号： 3EZ14DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ14DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ14DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ14DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ14DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ14DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ14DE3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 14V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，带卷带包装（TR12）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源电路中为ADC参考源、传感器供电或运放偏置提供稳定14V基准电压；适用于对精度要求适中、成本敏感的工业控制板。 2. 过压保护（OVP）：常用于输入端并联钳位，防止后级IC（如MCU、LDO）因瞬态浪涌（如ESD、感应电压）超过14V而损坏，配合限流电阻构成简易保护电路。 3. 浪涌吸收与箝位：在继电器线圈、小功率电感负载关断时吸收反向电动势，抑制电压尖峰，提升系统可靠性。 4. 电源反馈环路：在隔离式DC-DC变换器（如反激拓扑）中，与光耦配合实现次级侧电压反馈，调节初级PWM占空比。 该器件具有良好的热稳定性与长期可靠性，广泛应用于工业自动化、通信电源、医疗设备辅助电源及汽车电子（非安全关键模块）等场景。需注意其功率限制（3W），设计时应校核功耗与散热条件，避免持续满载运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 14V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ14DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 10.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 14V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 5 欧姆 |
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