Datasheet下载- 型号： 3EZ140D10/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ140D10/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ140D10/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ140D10/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ140D10/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ140D10/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ140D10/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为140 V，额定功率为3 W（DO-41封装），容差通常为±5%，具有低动态阻抗和良好温度稳定性。 其主要应用场景包括： 1. 高压稳压与基准源：适用于需140 V精密参考电压的电源电路，如工业高压电源、测试仪器中的基准模块； 2. 过压保护（OVP）：与晶闸管（SCR）或可控硅配合构成撬棒（Crowbar）电路，在电源异常升压时快速触发短路保护后级设备； 3. 浪涌/瞬态抑制辅助：虽非TVS器件，但在低成本设计中可协同压敏电阻（MOV）用于钳位高频高压脉冲（如继电器开关尖峰、电感关断反电动势）； 4. 高压偏置与分压网络：为光电耦合器、高压运放或IGBT驱动电路提供稳定偏置电压； 5. 医疗与分析设备：在X射线发生器、质谱仪等需高精度高压偏置的场合作电压基准或反馈采样元件。 注意：该器件不适用于高频或大电流瞬态抑制主路径，且需确保功耗不超过3 W（须依散热条件降额使用）。Microsemi原厂停产该型号后，Microchip已将其纳入兼容替代清单，建议设计时核查最新数据手册及替代料号（如MMSZ5260B系列高耐压衍生品）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 140V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ140D10/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 106.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 140V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 475 欧姆 |
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