| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ140D/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ140D/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ140D/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ140D/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ140D/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ140D/TR12 是 Microsemi Corporation(现属 Microchip Technology)推出的单齐纳二极管,标称稳压值为140 V,额定功率为3 W(DO-41封装),采用TR12卷带包装,适用于自动化贴片生产。 其主要应用场景包括: 1. 高压稳压与基准源:在工业电源、仪表电源或高压偏置电路中,为高电压模拟电路(如运算放大器偏置、ADC参考分压网络)提供稳定基准电压; 2. 过压保护(OVP)钳位:与TVS或限流电阻配合,用于开关电源、电机驱动或通信接口的瞬态电压抑制,防止后级IC因浪涌(如雷击感应、电感关断尖峰)而损坏; 3. 反馈环路电压箝位:在反激式或LLC谐振变换器中,用于光耦反馈侧或辅助绕组电压采样回路,限制误差放大器输入电压,提升系统可靠性; 4. 高压检测与阈值设定:在电池管理系统(BMS)高压模块、电力监控设备中,作为简单可靠的高压阈值检测元件(需搭配分压电阻)。 需注意:该器件为通用型齐纳二极管,动态阻抗相对较高,不适用于高精度或低噪声基准场合;使用时须确保功耗不超过3 W(需合理计算平均功耗及散热条件),并避免长期工作在接近最大反向电流下以保障寿命与稳定性。 (字数:398)
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 140V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ140D/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 106.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 140V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 475 欧姆 |