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  • 型号: 3EZ140D/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ140D/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ140D/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ140D/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ140D/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ140D/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

3EZ140D/TR12 是 Microsemi Corporation(现属 Microchip Technology)推出的单齐纳二极管,标称稳压值为140 V,额定功率为3 W(DO-41封装),采用TR12卷带包装,适用于自动化贴片生产。

其主要应用场景包括:  
1. 高压稳压与基准源:在工业电源、仪表电源或高压偏置电路中,为高电压模拟电路(如运算放大器偏置、ADC参考分压网络)提供稳定基准电压;  
2. 过压保护(OVP)钳位:与TVS或限流电阻配合,用于开关电源、电机驱动或通信接口的瞬态电压抑制,防止后级IC因浪涌(如雷击感应、电感关断尖峰)而损坏;  
3. 反馈环路电压箝位:在反激式或LLC谐振变换器中,用于光耦反馈侧或辅助绕组电压采样回路,限制误差放大器输入电压,提升系统可靠性;  
4. 高压检测与阈值设定:在电池管理系统(BMS)高压模块、电力监控设备中,作为简单可靠的高压阈值检测元件(需搭配分压电阻)。

需注意:该器件为通用型齐纳二极管,动态阻抗相对较高,不适用于高精度或低噪声基准场合;使用时须确保功耗不超过3 W(需合理计算平均功耗及散热条件),并避免长期工作在接近最大反向电流下以保障寿命与稳定性。  

(字数:398)
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 140V 20% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ140D/TR12

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 106.4V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±20%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

4,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

140V

阻抗(最大值)(Zzt)

475 欧姆

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