Datasheet下载- 型号： 3EZ13D2/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ13D2/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ13D2/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ13D2/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ13D2/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ13D2/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ13D2/TR8是一款13V、1W表面贴装齐纳二极管（DO-41封装，带卷带包装），具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路或传感器接口中，为ADC参考源、运算放大器偏置或微控制器复位电路提供稳定13V基准电压。 2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，用于电源输入端的钳位保护，防止瞬态高压（如ESD或浪涌）损坏后级IC（如FPGA供电轨或通信接口芯片）。 3. 信号电平箝位：在通信线路（如RS-232、CAN收发器）中限制信号摆幅，防止超出接收器件的绝对最大额定值。 4. 低成本线性稳压辅助：作为简单稳压器的基准元件，配合晶体管构成分立式稳压电路，适用于对效率要求不高但需高可靠性的工业控制模块。 该器件工作温度范围宽（-65℃~+175℃），具备高可靠性与长期稳定性，常用于航空航天、工业自动化、医疗设备及汽车电子等对器件寿命和一致性要求较高的领域。注意：实际应用中需确保功耗不超过1W（即电流≤77mA），并考虑散热设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 13V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ13D2/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 9.9V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 13V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4.5 欧姆 |
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