Datasheet下载- 型号： 3EZ130DE3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ130DE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ130DE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ130DE3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ130DE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ130DE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ130DE3/TR8是一款130V、1.3W通孔式齐纳二极管，采用DO-41封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其主要应用场景包括： 1. 过压保护与稳压：在电源输入端或敏感电路前级，作为钳位器件限制瞬态过压（如雷击感应、开关噪声），防止后级IC损坏；也可用于低功耗、非精密场合的基准电压源（如为比较器、ADC提供参考电平）。 2. 浪涌抑制电路：配合TVS或压敏电阻构成多级防护，利用其快速响应（纳秒级）和稳定击穿特性，吸收中小能量脉冲。 3. 工业控制与仪器仪表：在PLC模块、传感器信号调理电路中，用于稳压供电轨（如12V/24V系统中的局部130V偏置或反馈分压网络）。 4. 通信设备与电源适配器：在AC-DC转换器次级反馈回路、隔离式栅极驱动电源中，提供可靠稳压点；亦可用于LED恒流驱动的电压基准。 需注意：该器件为通用型齐纳管，不适用于高精度、低温漂或大电流场景；实际应用中应确保功耗≤1.3W，并预留足够散热裕量；建议搭配限流电阻使用以保障长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 130V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ130DE3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 98.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 130V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 375 欧姆 |
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