Datasheet下载- 型号： 3EZ130D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ130D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ130D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ130D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ130D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ130D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ130D2/TR12 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip 收购）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为 130 V，额定功率为 3 W（DO-41 封装），具有低动态阻抗和良好温度稳定性。其典型应用场景包括： - 高压电源稳压与基准：在工业电源、仪表电源或通信设备的辅助供电电路中，为高电压（如100–150 V）模块提供稳定参考电压或箝位基准。 - 过压保护（OVP）与浪涌抑制：与TVS或RC网络配合，用于保护后级敏感电路（如ADC输入、MCU供电轨）免受瞬态高压冲击（如雷击感应、开关噪声），尤其适用于中等能量等级的防护。 - 反馈环路电压检测：在开关电源（如反激式或正激式变换器）的次级侧高压反馈路径中，作为隔离反馈的电压采样/限幅元件，确保光耦驱动电压稳定。 - 高压偏置与偏置钳位：在高压放大器、PFC控制器或IGBT栅极驱动电路中，提供稳定的偏置电压或限制驱动信号幅度，防止器件过压损坏。 - 测试与校准设备：因参数一致性较好，可用于精密高压测试源、电子负载或校准仪器中的稳压参考单元。 注意：该器件最大反向电流（IZT）约23 mA，设计时需确保功耗不超过3 W（建议降额使用），并注意散热及长期可靠性。由于Microsemi已整合入Microchip，当前供货及技术支持请参考Microchip官网型号替代信息（如可能对应Zener系列新编号）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 130V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ130D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 98.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 130V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 375 欧姆 |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
3EZ130D2/TR12 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商