Datasheet下载- 型号： 3EZ130D10/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ130D10/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ130D10/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ130D10/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ130D10/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ130D10/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ130D10/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为130 V，额定功率为3 W（DO-41封装），容差通常为±5%，具有低动态阻抗和良好温度稳定性。 其典型应用场景包括： 1. 高压电源稳压：用于工业控制、测试仪器或通信设备中100–150 V直流电源的基准稳压或过压钳位； 2. 浪涌与ESD保护：在高压信号线（如传感器接口、继电器驱动电路）中作为瞬态电压抑制（TVS）辅助器件，配合TVS或MOV实现分级防护； 3. 参考电压源：为高压运算放大器、ADC基准或高压比较器提供稳定偏置点（需配合限流电阻使用）； 4. 反馈回路补偿：在开关电源（如反激式高压输出）的光耦反馈侧，用于设定高电压阈值或构建过压保护（OVP）触发点； 5. 电平移位与箝位：在高压模拟前端或脉冲电路中，将信号峰值箝位至130 V，防止后级器件过压损坏。 注意：该器件非TVS专用，不适用于高频/大能量浪涌；实际应用中须严格计算功耗（P = Vz × Iz），确保持续工作电流不超过额定值，并预留足够散热裕量。TR8表示编带卷装，适用于自动化贴片生产。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 130V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ130D10/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 98.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 130V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 375 欧姆 |
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