Datasheet下载- 型号： 3EZ130D10/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ130D10/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ130D10/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ130D10/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ130D10/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ130D10/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ130D10/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称齐纳电压为130 V，额定功率为3 W（DO-41封装），容差通常为±5%，具有良好的温度稳定性和长期可靠性。 其主要应用场景包括： 1. 过压保护与稳压：用于电源输入端或敏感电路前级，作为并联型稳压/钳位器件，在浪涌或瞬态过压时导通泄放能量，保护后级IC、传感器或接口芯片； 2. 基准电压源：在中高压模拟电路（如工业传感器信号调理、高压电源反馈网络）中提供稳定的130 V参考点，适用于对精度要求适中、成本敏感的场合； 3. 浪涌抑制与箝位电路：配合TVS或压敏电阻用于通信设备（如RS-485总线）、工控PLC模块、电机驱动板等，限制感应电压尖峰； 4. 高压电源反馈环路：在开关电源（如AC-DC适配器、LED驱动电源）中，与光耦配合构成隔离反馈路径，实现输出电压精密调节； 5. 测试与校准设备：作为高压稳压参考元件，用于仪表内部基准源或电子负载的电压监测单元。 该器件适用于-65°C ~ +175°C宽温工业环境，具备高可靠性和低动态阻抗特性，但需注意散热设计（建议PCB铜箔散热）。不适用于高频或超低噪声场景，亦不可替代低压精密基准（如TL431）。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 130V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ130D10/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 98.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 130V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 375 欧姆 |
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