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  • 型号: 3EZ130D/TR8
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ130D/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ130D/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ130D/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ130D/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ130D/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

3EZ130D/TR8 是一款额定稳压值为130V、功率为3W的单齐纳二极管(表面贴装,DO-41封装,卷带包装)。其主要应用场景包括:

1. 高压稳压与基准源:在工业控制、电源适配器或高压DC-DC转换器中,为参考电路或误差放大器提供高精度、温度稳定性相对良好的130V稳压基准(需配合限流电阻使用)。

2. 过压保护(OVP)与钳位电路:常用于开关电源、电机驱动或传感器接口电路中,作为瞬态电压抑制辅助器件,将异常高压钳位于130V附近,防止后级器件击穿(注意:非TVS专用,响应速度和浪涌能力有限,不替代TVS二极管)。

3. 反馈环路电压检测:在隔离型反激或正激电源中,配合光耦实现初级侧高压反馈,监测主输出或辅助绕组电压是否超限。

4. 高压偏置与偏置稳压:为高压运算放大器、IGBT栅极驱动器或真空荧光显示器(VFD)等需要稳定高压偏置的电路提供简单可靠的偏置电压。

注意事项:该器件最大稳定电流约23mA(3W/130V),需严格计算功耗与散热;动态阻抗较高,不适用于低噪声或高精度基准场合;建议在实际应用中预留≥10%电压裕量,并确保工作电流在5–20mA推荐范围内以兼顾稳定性与寿命。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 130V 20% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ130D/TR8

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 98.8V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±20%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1,500

电压-齐纳(标称值)(Vz)

130V

阻抗(最大值)(Zzt)

375 欧姆

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