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  • 型号: 3EZ12D2/TR8
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ12D2/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ12D2/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ12D2/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ12D2/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ12D2/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

3EZ12D2/TR8 是 Microsemi Corporation(现已被 Microchip 收购)推出的一款单齐纳二极管,标称稳压值为12 V,额定功率为3 W(DO-41封装),采用TR8卷带包装,适用于自动化贴片生产。

该器件主要应用于中低功率的电压基准与过压保护场景:  
- 稳压与参考电压源:为传感器、ADC/DAC、微控制器等提供稳定12 V基准电压,适用于对精度要求适中(典型容差±5%)、成本敏感的工业控制和电源管理电路;  
- 过压钳位与ESD保护:在12 V供电系统(如工控模块、LED驱动电源、继电器控制板)中,用作瞬态电压抑制辅助器件,吸收反向电动势或浪涌能量,配合TVS或RC网络提升可靠性;  
- 简单线性稳压器的误差放大反馈端:在低成本三端稳压器外围电路中,作为分压/基准元件参与输出电压设定;  
- 电源启动/复位电路:利用其击穿特性实现上电阈值检测或延迟复位功能。

需注意:该器件未集成温度补偿,长期稳定性与精密基准(如TL431)相比有限,不推荐用于高精度、宽温域或低功耗(<1 mA)场合。典型工作电流建议维持在5–100 mA以兼顾稳压性能与温升。  

综上,3EZ12D2/TR8 适用于对成本、通用性和装配效率有要求,且对稳压精度与温度漂移容忍度较高的中端工业及消费类电子电源设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 12V 2% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ12D2/TR8

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

1µA @ 9.1V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±2%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1,500

电压-齐纳(标称值)(Vz)

12V

阻抗(最大值)(Zzt)

4.5 欧姆

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