Datasheet下载- 型号： 3EZ120DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ120DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ120DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ120DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ120DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ120DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ120DE3/TR12是一款120V、3W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-41封装（TR12为卷带包装）。其主要应用场景包括： 1. 过压保护与稳压：适用于中等功率电源电路中，为敏感器件（如MCU、传感器、接口芯片）提供120V基准电压或钳位保护，防止瞬态过压（如雷击感应、开关噪声）损坏后级电路。 2. 电压参考源：在精度要求不苛刻的模拟电路（如比较器阈值设定、ADC参考分压）中，作为低成本、高稳定性的固定参考电压点（典型测试电流IZ=25mA，动态电阻约450Ω）。 3. 浪涌抑制与箝位电路：常用于工业控制、通信设备及AC/DC适配器的输入端，配合TVS或压敏电阻构成多级防护，吸收持续时间较长的能量脉冲（因3W功率容量优于普通小信号齐纳管）。 4. 替代传统高耐压稳压方案：在无需精密调节的场合，可简化设计，替代串联多个低电压齐纳管或复杂稳压IC，降低成本与PCB面积。 需注意：该器件最大反向工作电压120V（容差±5%），正向导通压降约1.5V，使用时应确保功耗不超过3W（需合理计算散热条件），并避免长期工作在接近最大额定值状态以保障可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 120V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ120DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 91.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 120V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 300 欧姆 |
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