Datasheet下载- 型号： 3EZ120D2/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ120D2/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ120D2/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ120D2/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ120D2/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ120D2/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ120D2/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为120V，额定功率为3W（DO-41封装），具有低动态阻抗和良好温度稳定性。其典型应用场景包括： 1. 高压稳压与基准源：在工业电源、仪表电源或高压DC-DC转换器中，为控制电路提供稳定的120V参考电压，尤其适用于需高精度、低漂移的模拟前端或ADC基准分压网络。 2. 过压保护（OVP）与钳位电路：用于保护后级敏感器件（如MOSFET栅极驱动、运放输入端等），当瞬态电压超过120V时快速导通，吸收浪涌能量（常配合限流电阻使用）。 3. 浪涌抑制与ESD防护辅助：虽非专用TVS，但在低频、中等能量的浪涌场合（如继电器线圈关断反电动势抑制、电磁阀驱动回路）可作为低成本钳位元件。 4. 高压偏置与偏置稳压：在真空管放大器、光电倍增管（PMT）、高压传感器偏置电源中，提供稳定偏置电压。 注意：该器件为玻璃钝化结构，可靠性高，但需严格遵守最大功耗（3W）、峰值脉冲电流及热设计要求；TR8表示卷带包装，适用于自动化贴装。不适用于高频或大电流瞬态场景，替代方案应优先考虑专用TVS或更高功率稳压模块。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 120V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ120D2/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 91.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 120V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 300 欧姆 |
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