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产品简介:
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Microsemi Corporation(现为Microchip Technology旗下)的3EZ120D10/TR8是一款120V、1W额定功率的单齐纳二极管,采用DO-41封装,具有±10%电压容差(标称稳压值120V)和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括: 1. 过压保护与钳位电路:用于电源输入端或敏感模拟/数字接口处,将瞬态高压(如ESD、浪涌)钳位于120V附近,防止后级器件损坏;常配合TVS或限流电阻使用。 2. 高电压基准源:在工业控制、高压电源反馈环路或精密仪器中,作为低成本、中等精度的参考电压源(需注意温度系数约−0.08%/°C,需适当温补或校准)。 3. 稳压/分流调节:适用于小电流(≤8mA典型工作电流)的辅助电源稳压,如高压偏置电路、光耦驱动电源或传感器供电模块。 4. 浪涌吸收与箝位:在继电器线圈、电机绕组或感性负载关断时,提供续流路径并抑制反向电动势尖峰。 需注意:该器件最大功耗1W,实际应用中须确保散热条件良好,避免持续满载;且因120V属高稳压值,不适用于低压逻辑系统,多见于工业电源、通信设备、电力仪表及高压LED驱动等场景。TR8表示卷带包装,适合自动化贴片生产。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 120V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ120D10/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 91.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 120V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 300 欧姆 |