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  • 型号: 3EZ120D10/TR8
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ120D10/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ120D10/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ120D10/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ120D10/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ120D10/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip Technology旗下)的3EZ120D10/TR8是一款120V、1W额定功率的单齐纳二极管,采用DO-41封装,具有±10%电压容差(标称稳压值120V)和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括:

1. 过压保护与钳位电路:用于电源输入端或敏感模拟/数字接口处,将瞬态高压(如ESD、浪涌)钳位于120V附近,防止后级器件损坏;常配合TVS或限流电阻使用。

2. 高电压基准源:在工业控制、高压电源反馈环路或精密仪器中,作为低成本、中等精度的参考电压源(需注意温度系数约−0.08%/°C,需适当温补或校准)。

3. 稳压/分流调节:适用于小电流(≤8mA典型工作电流)的辅助电源稳压,如高压偏置电路、光耦驱动电源或传感器供电模块。

4. 浪涌吸收与箝位:在继电器线圈、电机绕组或感性负载关断时,提供续流路径并抑制反向电动势尖峰。

需注意:该器件最大功耗1W,实际应用中须确保散热条件良好,避免持续满载;且因120V属高稳压值,不适用于低压逻辑系统,多见于工业电源、通信设备、电力仪表及高压LED驱动等场景。TR8表示卷带包装,适合自动化贴片生产。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 120V 10% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ120D10/TR8

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 91.2V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±10%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1,500

电压-齐纳(标称值)(Vz)

120V

阻抗(最大值)(Zzt)

300 欧姆

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