【未分类_3EZ11DE3/TR8】封装/厂家_3EZ11DE3/TR8中文资料_价格

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型号： 3EZ11DE3/TR8
制造商： American Microsemiconductor, Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ11DE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ11DE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ11DE3/TR8封装/规格：未分类，暂无。您可以下载3EZ11DE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ11DE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ11DE3/TR8是一款11V、1W额定功率的单齐纳二极管，采用DO-41封装，带卷带包装（TR8）。其典型应用场景包括：

1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源）中提供稳定11V基准电压；适用于线性稳压器的误差放大器反馈网络或分立式稳压电路。

2. 过压保护（OVP）：与限流电阻配合，用作IC输入端的钳位器件，防止瞬态过压（如ESD或浪涌）损坏后级敏感元件（如MCU、运放）。

3. 电平转换与箝位：在数字接口中将信号峰值限制在11V，实现不同电压域间的安全交互（如5V系统驱动12V逻辑兼容电路）。

4. 电源监控与检测：配合比较器构成简单欠压/过压检测电路，用于电源上电复位（POR）或故障告警。

该器件具有±5%电压容差、低动态阻抗（典型值≤20Ω）和良好温度稳定性（TCZ ≈ +0.07%/°C），适合工业控制、通信设备、仪器仪表及汽车电子（AEC-Q200兼容版本需确认具体型号）等对可靠性要求较高的场景。注意：实际应用中需确保功耗不超过1W，并留有足够散热裕量。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	DIODE ZENER 3W 11V 20% DO-41
产品分类	单二极管/齐纳
品牌	Microsemi Commercial Components Group
数据手册	http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf
产品图片
产品型号	3EZ11DE3/TR8
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同If时的电压-正向(Vf)	1.2V @ 200mA
不同 Vr时的电流-反向漏电流	1µA @ 8.4V
供应商器件封装	DO-41
功率-最大值	3W
包装	带卷（TR）
安装类型	通孔
容差	±20%
封装/外壳	DO-204AL，DO-41，轴向
工作温度	-65°C ~ 150°C
标准包装	1,500
电压-齐纳（标称值）(Vz)	11V
阻抗（最大值）(Zzt)	4 欧姆