Datasheet下载- 型号： 3EZ11DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ11DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ11DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ11DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ11DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ11DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ11DE3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）生产的 11V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，带卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源电路中为ADC参考源、传感器供电或运放偏置提供稳定11V基准电压；适用于输入波动较小、负载电流较轻（≤270mA）的场合。 2. 过压保护（OVP）：与TVS或串联限流电阻配合，用于保护后级敏感器件（如MCU I/O口、通信接口）免受瞬态过压损害。 3. 浪涌钳位与箝位电路：在开关电源反馈环路、信号调理电路中实现电压箝位，限制信号摆幅，防止器件击穿。 4. 工业与汽车电子辅助电源：在车载ECU、PLC模块等中作为局部稳压元件，为小电流逻辑电路或光耦供电（需注意其±5%容差及温度系数影响）。 注：该器件最大功率3W，需确保PCB散热设计合理（如敷铜面积≥25mm²），且不建议长期工作在满载状态；其齐纳电压温度系数约+0.07%/°C（典型值），高精度应用需考虑温漂补偿。Microsemi原厂已停产该型号，当前多为授权渠道库存或替代料（如Microchip的MZ11D系列），设计选型时建议确认供货状态并评估兼容性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 11V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ11DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 8.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 11V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4 欧姆 |
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