Datasheet下载- 型号： 3EZ11D5E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ11D5E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ11D5E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ11D5E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ11D5E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ11D5E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ11D5E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为11V，额定功率为3W（DO-41封装），具有±5%电压容差、低动态阻抗和良好温度稳定性。 其典型应用场景包括： 1. 电源电压基准与稳压：用于低压线性稳压器（如78xx系列辅助电路）或分立式稳压电路中，为比较器、ADC参考源或微控制器复位电路提供稳定11V基准； 2. 过压保护与钳位：在接口电路（如RS-232、CAN收发器输入端）中，与TVS或限流电阻配合，将瞬态电压钳位于11V附近，防止后级IC损坏； 3. 浪涌吸收与电压箝位：在继电器线圈、小功率电感负载关断时，提供续流路径并限制反向电动势峰值； 4. 模拟电路偏置设置：为运算放大器、传感器调理电路提供固定偏置电压点； 5. 工业控制与通信模块：适用于对成本敏感、无需高精度但需可靠基础稳压的嵌入式设备、PLC模块及隔离电源反馈环路（配合光耦）等场景。 该器件具备AEC-Q200兼容性（部分批次），亦可用于车载信息娱乐系统中的非安全关键稳压环节。注意：实际应用中需校核功耗（P = Vz × Iz）、散热条件及长期可靠性裕量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 11V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ11D5E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 8.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 11V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4 欧姆 |
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