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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ11D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ11D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ11D2E3/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ11D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ11D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation(现为Microchip Technology旗下)的3EZ11D2E3/TR12是一款11V、1W表面贴装齐纳二极管(单管),采用DO-214AC(SMA)封装,具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:在低压电源电路中为模拟电路(如传感器信号调理、ADC参考源)提供稳定11V基准电压;适用于小电流(≤90mA)稳压场合,如辅助电源轨或偏置电路。 2. 过压保护(OVP):与限流电阻配合,用作IC输入端的钳位保护器件,防止瞬态高压(如ESD或浪涌)损坏后级敏感元件(如微控制器I/O口、运放输入级)。 3. 电平转换与箝位:在数字接口中实现逻辑电平适配(如将12V信号安全箝位至11V),或在开关电源反馈环路中参与误差放大器基准设定。 4. 工业与通信设备:广泛用于工业控制模块、光模块供电管理、基站电源监控电路及汽车电子中的非安全关键型稳压节点(需注意其AEC-Q200兼容性需查证具体批次)。 该器件强调可靠性与长期稳定性,适用于空间受限且对成本与功耗有要求的中低功率应用,但不适用于大电流稳压或高精度基准(建议选用带温度补偿的基准IC替代)。使用时需确保功耗不超过1W,并留足散热裕量。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 11V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ11D2E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 8.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 11V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 4 欧姆 |