Datasheet下载- 型号： 3EZ110D5E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ110D5E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ110D5E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ110D5E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ110D5E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ110D5E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ110D5E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）生产的单齐纳二极管，标称稳压值为110V，额定功率3W（DO-41封装），具有±5%电压容差及低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 过压保护与箝位电路：用于电源输入端或敏感IC接口，将瞬态高压（如ESD、雷击感应脉冲）箝位至安全电平，防止后级器件损坏。 2. 高电压基准源：在工业控制、高压电源反馈环路或精密测量设备中，作为110V参考基准，配合分压/误差放大电路实现稳压控制。 3. 浪涌吸收与缓冲：在继电器线圈、电机驱动或电磁阀关断时，吸收感性负载产生的反向电动势（Flyback Voltage），抑制电压尖峰。 4. 电源稳压辅助：在简单线性稳压器或LDO前级，提供粗略稳压或电压限制，提升系统可靠性（适用于对精度要求不高但需耐高压的场合）。 该器件工作结温范围宽（-65℃~+175℃），适合工业、汽车电子（非安全关键系统）、通信电源及仪器仪表等中高可靠性环境。注意：实际应用中需确保功耗不超过3W（考虑散热条件），并预留足够电压裕量以应对温度漂移（齐纳电压随温度升高略有上升）。不推荐用于高频或大电流稳压主回路。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 110V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ110D5E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 83.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 110V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 225 欧姆 |
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