Datasheet下载- 型号： 3EZ110D5/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ110D5/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ110D5/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ110D5/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ110D5/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ110D5/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ110D5/TR8 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip 收购）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为 110V，额定功率为 3W，采用 DO-41 塑封直插封装，TR8 表示编带卷装形式。 该器件主要应用于中高压稳压与保护场景： 1. 电源稳压：在离线式开关电源、辅助电源或高压偏置电路中，为控制IC、光耦或基准源提供稳定的110V参考电压（需配合限流电阻使用）； 2. 过压钳位/浪涌抑制：与TVS或RC网络配合，限制瞬态高压（如雷击感应、开关噪声），保护后级MOSFET、IGBT驱动电路或传感器接口； 3. 电压基准与检测：在工业控制、电力仪表或高压电池管理系统中，用于110V等级的阈值检测、过压告警或反馈环路基准； 4. 电弧抑制与缓冲：在继电器、接触器或电磁阀线圈两端，吸收关断时产生的反向电动势（Flyback Voltage），防止触点拉弧或驱动芯片损坏。 其3W功率能力优于普通1W齐纳管，适合中等能量瞬态防护；DO-41封装便于通孔安装与散热，适用于工业级PCB。需注意：实际应用中须严格计算功耗（P = Vz × Iz），确保静态电流与瞬态脉冲不超限，并考虑温度系数（典型±0.07%/°C）对精度的影响。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 110V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ110D5/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 83.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 110V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 225 欧姆 |
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