Datasheet下载- 型号： 3EZ110D2E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ110D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ110D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ110D2E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ110D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ110D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ110D2E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现为 Microchip Technology 旗下品牌）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为110V，功率为3W，采用DO-41封装，带卷带包装（TR8）。其典型应用场景包括： - 高压稳压与基准源：在工业电源、仪表电源或高压偏置电路中，为运算放大器、ADC参考源或栅极驱动电路提供稳定110V基准电压。 - 过压保护（OVP）与箝位：用于开关电源、电机驱动或通信接口的输入端，配合TVS或限流电阻，箝位瞬态高压（如雷击、开关浪涌），防止后级器件损坏。 - 反馈环路电压检测：在离线式AC-DC适配器或LED恒流驱动器中，配合光耦构成初级侧稳压反馈，监测高压母线电压。 - 浪涌吸收与泄放电路：在继电器线圈、变压器绕组或感性负载关断时，吸收反向电动势，避免MOSFET/IGBT击穿。 该器件具有低动态阻抗、良好温度稳定性及高可靠性，适用于工业控制、电力仪表、通信基站电源等对长期稳定性与耐压要求较高的场景。注意：实际使用需确保功耗不超过3W（需合理计算平均功耗与散热条件），并建议串联限流电阻以限制齐纳电流。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 110V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ110D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 83.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 110V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 225 欧姆 |
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