Datasheet下载- 型号： 3EZ110D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ110D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ110D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ110D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ110D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ110D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ110D10E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为110V，功率为3W，DO-41封装，带AEC-Q200兼容性（部分批次），具有低动态阻抗和良好温度稳定性。 其主要应用场景包括： 1. 高压电源稳压与基准：在工业电源、LED驱动器或通信设备的辅助电源中，为控制电路提供110V高精度、低漂移的参考电压； 2. 过压保护（OVP）与钳位：与TVS或可控硅配合，用于浪涌抑制电路，在输入端（如AC/DC前端、电机驱动板）将瞬态高压钳位于110V左右，防止后级器件损坏； 3. 反馈环路补偿：在开关电源（如反激式）的光耦反馈侧，作为精密稳压元件，提升电压调节精度与负载调整率； 4. 测试与测量设备：在高压校准源、电子负载或老化测试治具中，作为稳定可靠的110V基准或限幅单元； 5. 汽车电子（限AEC-Q200认证版本）：适用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换模块等对可靠性要求高的高压子系统，提供稳压或故障检测功能。 该器件具备良好的长期稳定性及宽温工作能力（-65°C ~ +175°C），适合严苛工业与车载环境。需注意：实际应用中应合理设计散热（如PCB铜箔面积）并预留足够功率裕量，避免持续满载导致热失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 110V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ110D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 83.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 110V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 225 欧姆 |
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