Datasheet下载- 型号： 3EZ110D10/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ110D10/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ110D10/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ110D10/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ110D10/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ110D10/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的型号3EZ110D10/TR12是一款额定功率3W、标称稳压值110V的单齐纳二极管，采用DO-41封装，带卷带包装（TR12）。其主要应用场景包括： 1. 过压保护与钳位电路：用于电源输入端或敏感电路前级，将瞬态高压（如ESD、雷击感应脉冲）钳位在110V附近，防止后级器件损坏。 2. 高电压稳压参考源：在工业控制、高压电源反馈环路或仪表电路中，为比较器、基准源或ADC提供稳定高压参考点（需配合限流电阻使用）。 3. 浪涌吸收与箝位保护：适用于继电器线圈、电机驱动、电磁阀等感性负载的反电动势抑制，吸收关断时产生的高压尖峰。 4. 高压电源辅助电路：如CRT显示器、激光驱动器、X射线发生器等需要100V级以上稳压/保护的设备中，作为简单可靠的稳压或保护元件。 该器件具有良好的温度稳定性与可靠性，适用于工业、医疗及通信设备等对长期稳定性要求较高的场景。注意：实际应用中须严格计算功耗、串联限流电阻值，并确保散热条件满足3W额定功率要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 110V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ110D10/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 83.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 110V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 225 欧姆 |
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