Datasheet下载- 型号： 3EZ110D/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ110D/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ110D/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ110D/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ110D/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ110D/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ110D/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为110V，额定功率为3W（DO-41封装），采用TR8卷带包装，适用于自动化贴片生产。 其主要应用场景包括： 1. 高压电源稳压与基准：在工业电源、LED驱动器或通信设备的辅助电源中，为控制电路提供高精度、温度稳定性较好的110V参考电压； 2. 过压保护（OVP）钳位：与TVS或MOSFET配合，用于开关电源、电机驱动或电池管理系统中，限制瞬态高压（如感性负载关断尖峰），防止后级器件击穿； 3. 浪涌吸收与箝位电路：在继电器、变压器或高压DC-DC转换器中，吸收反电动势或雷击感应脉冲，提升系统可靠性； 4. 仪表与测试设备：在高压测量模块中作为分压基准或限幅元件，保障ADC输入安全。 该器件具有低动态阻抗、良好长期稳定性及符合AEC-Q200（部分批次）的可靠性，适用于工业控制、电力监控、通信基站等对耐压和鲁棒性要求较高的场景。需注意：实际使用时应留足功率余量（建议≤2W持续功耗），并考虑散热条件以避免热失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 110V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ110D/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 83.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 110V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 225 欧姆 |
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