Datasheet下载- 型号： 3EZ110D/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ110D/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ110D/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ110D/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ110D/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ110D/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ110D/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为 110 V，额定功率为 3 W（DO-41 封装），采用 TR12 卷带包装，适用于自动化贴片生产。 其主要应用场景包括： 1. 过压保护电路：在电源输入端或敏感电路前，作为瞬态电压抑制（TVS）辅助器件，配合压敏电阻或TVS二极管，钳位浪涌或雷击引起的高压尖峰（如工业控制、通信设备电源入口）。 2. 高电压基准与稳压：在高压模拟电路（如高压电源反馈环路、光电检测偏置电路、X射线探测器偏压源）中提供稳定参考电压，尤其适用于需110 V左右精密稳压且功耗适中的场合。 3. 浪涌吸收与箝位：用于继电器线圈、电机驱动感性负载的反电动势吸收回路，防止开关器件（如MOSFET/IGBT）因感应高压而损坏。 4. 仪表与测试设备：在高压校准源、电子负载、绝缘耐压测试仪等设备中，用作电压箝位或分压基准元件。 需注意：该器件为通用齐纳二极管，非低噪声或高精度基准，不适用于要求ppm级温漂或长期稳定性的精密基准应用；实际使用时应确保功耗不超过3 W，并留有足够散热裕量。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 110V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ110D/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 83.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 110V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 225 欧姆 |
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