Datasheet下载- 型号： 3EZ10DE3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ10DE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ10DE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ10DE3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ10DE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ10DE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ10DE3/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）生产的 10V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，带卷带包装（TR8）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源电路中为ADC、DAC、传感器或运放提供稳定10V参考电压；适用于输入波动较小的线性稳压辅助电路。 2. 过压保护（OVP）：与TVS或串联限流电阻配合，用于保护敏感IC（如MCU I/O口、通信接口）免受瞬态过压（如ESD、感应浪涌）损害。 3. 电平钳位与信号整形：在模拟前端或数字接口电路中，将信号峰值钳位于10V，防止后级器件饱和或损坏，例如在比较器输入端限幅。 4. 电源监控与反馈：在开关电源（如反激式适配器）的光耦反馈回路中，作为精密稳压元件，辅助实现输出电压精度控制（需搭配TL431等更常用，但3EZ10DE3可作低成本替代方案）。 5. 工业与汽车电子辅助电路：符合AEC-Q200基础可靠性要求（需确认具体批次），适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块中的非主电源稳压节点。 该器件具有低动态阻抗（约15Ω）、良好温度稳定性（TC ≈ ±0.075%/°C）及高浪涌能力（3W额定功率），适合空间受限且需中等功率稳压的场景。注意：设计时需确保散热充分，并校验功耗（P = Vz × Iz）避免热失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 10V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ10DE3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 7.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 10V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 3.5 欧姆 |
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