Datasheet下载- 型号： 3EZ10DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ10DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ10DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ10DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ10DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ10DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ10DE3/TR12是一款10V、1W表面贴装齐纳二极管（DO-41封装，卷带包装）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、电源监控电路）中提供稳定10V基准电压；适用于输入波动较小、负载电流较轻（≤100mA）的场合。 2. 过压保护与钳位：与TVS或限流电阻配合，用于保护后级IC（如MCU I/O口、运放输入端）免受瞬态过压（如ESD、感应浪涌）损害，将电压钳位于约10V。 3. 电源反馈环路：在简易线性稳压器（如78Lxx辅助电路）或开关电源的光耦反馈路径中，作为误差检测基准元件。 4. 工业与通信设备：广泛应用于工业控制模块、基站电源管理、仪器仪表及汽车电子中的板级电压监测与校准电路（符合AEC-Q200相关可靠性要求，但需确认具体批次认证）。 注意：该器件为通用型齐纳二极管，温度系数约+5.5 mV/°C（典型），精度±5%（标称10V），不适用于高精度或低温漂场景；设计时需确保功耗≤1W，并预留足够散热余量。TR12表示卷带包装（12mm载带），适合自动化贴片生产。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 10V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ10DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 7.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 10V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 3.5 欧姆 |
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