Datasheet下载- 型号： 3EZ10D5E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ10D5E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ10D5E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ10D5E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ10D5E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ10D5E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ10D5E3/TR8是一款10V、1.3W表面贴装齐纳二极管（DO-41封装，卷带包装）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路中提供稳定10V参考电压，用于ADC/DAC基准源、传感器信号调理电路或电源反馈回路。 2. 过压保护：与TVS或限流电阻配合，钳位敏感IC（如MCU、运放输入端）的瞬态过压，防止ESD或浪涌损坏。 3. 电源调节辅助：在简单线性稳压器（如78Lxx前级）中作预稳压或误差检测元件；或用于LED恒流驱动电路中的电压设定点。 4. 工业与通信设备：适用于PLC模块、RS-485接口保护、电池管理系统（BMS）的电压监测分压网络等对温度稳定性（±5%容差，TC约±0.07%/°C）和长期可靠性要求较高的场景。 该器件具备优良的齐纳击穿特性、低动态阻抗及符合AEC-Q200（部分批次）的可靠性标准，适合工业级温度范围（–65°C至+175°C）应用。注意：实际使用需配合限流电阻，并确保功耗不超过1.3W额定值。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 10V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ10D5E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 7.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 10V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 3.5 欧姆 |
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