Datasheet下载- 型号： 3EZ10D5/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ10D5/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ10D5/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ10D5/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ10D5/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ10D5/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ10D5/TR12是一款10V、3W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-41封装（TR12为卷带包装）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源电路中为ADC参考源、传感器供电或运算放大器偏置提供稳定10V基准电压；适用于对精度要求适中、成本敏感的工业控制板或仪表电路。 2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，用于保护后级IC（如MCU、通信接口芯片）免受瞬态过压（如ESD、感应浪涌）损害，常用于RS-485收发器、CAN节点等工业总线接口。 3. 电源钳位与反馈调节：在开关电源（如反激式辅助绕组反馈回路）中，与光耦配合实现初级侧稳压；或在LDO输出端作过压钳位，提升系统可靠性。 4. 浪涌吸收与箝位电路：在继电器线圈、电机驱动等感性负载关断时，吸收反向电动势，防止MOSFET/IGBT击穿。 该器件具有±5%标称电压容差、低动态阻抗（典型值15Ω）、良好温度稳定性（TC ≈ 0.07%/°C），适合-65°C至+175°C宽温工业环境。需注意其功率限制（最大3W），设计时应确保散热充分，避免长期满载工作。TR12卷带包装便于自动化贴片生产，常见于工业电源模块、电力监控设备、车载电子及通信基础设施中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 10V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ10D5/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 7.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 10V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 3.5 欧姆 |
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