Datasheet下载- 型号： 3EZ10D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ10D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ10D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ10D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ10D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ10D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ10D10E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 10V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差、低动态阻抗和良好温度稳定性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为精密模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源、运算放大器偏置）提供稳定的10V基准电压；在低压差线性稳压器（LDO）反馈网络中用作分压参考点。 2. 过压保护（OVP）与钳位：在电源输入端或敏感IC接口处，与TVS或限流电阻配合，将瞬态电压钳位于10V附近，防止后级电路（如MCU、通信接口）因浪涌或ESD受损。 3. 电源监控与阈值检测：结合比较器构成欠压/过压检测电路，用于系统上电复位（POR）、电池电压监测（如12V系统中判断是否低于10V告警）。 4. 工业与通信设备：适用于工业PLC模块、基站电源管理、光纤收发器供电单元等对可靠性与长期稳定性要求较高的场景，得益于Microsemi器件的宽温范围（-65°C至+175°C）及AEC-Q200兼容性（部分批次）。 注意：该器件为单齐纳结构，不集成限流电阻，实际应用中需外接串联电阻以限制功耗并确保工作在安全区（Zener电流IZ需在5mA–200mA推荐范围内）。TR12表示卷带包装，适用于自动化贴片生产。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 10V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ10D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 7.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 10V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 3.5 欧姆 |
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