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产品简介:
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3EZ10D10/TR12 是 Microsemi Corporation(现属 Microchip Technology)推出的一款单齐纳二极管,标称稳压值为10 V,额定功率为3 W(DO-41封装),采用TR12卷带包装,适用于自动化贴片生产。 该器件主要应用于中低功率的电压基准与过压保护场景: - 稳压与参考电压源:为传感器电路、ADC/DAC基准、电源反馈环路(如线性稳压器TL431辅助基准)提供稳定10 V参考; - 过压钳位与ESD防护:在接口电路(如RS-232、工业I/O端口)中并联于被保护节点,限制瞬态电压不超过10.5 V(典型最大箝位电压),防止后级IC损坏; - 电源浪涌抑制:配合限流电阻用于简易DC电源输入端,吸收开关噪声或轻度浪涌; - 模拟电路偏置:为运算放大器、比较器等提供固定偏置电压点。 其3 W功率能力优于常规500 mW齐纳管,适合有一定功耗需求但无需高精度(初始容差±5%,温度系数约−0.07%/°C)的工业控制、电源适配器、仪器仪表及通信设备中的次级稳压环节。需注意合理设计散热与限流电阻,避免长期满负荷工作影响寿命与稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 10V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ10D10/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 7.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 10V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 3.5 欧姆 |