Datasheet下载- 型号： 3EZ100D5E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ100D5E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ100D5E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ100D5E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ100D5E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ100D5E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ100D5E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）生产的单齐纳二极管，标称稳压值为100V，额定功率为3W（DO-41封装），具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 过压保护与箝位电路：用于电源输入端或敏感IC接口处，将瞬态高压（如ESD、雷击感应或开关噪声）箝位在100V安全水平，防止后级器件损坏。 2. 基准电压源：在中等精度、非低温漂要求的模拟电路（如简单稳压器、比较器参考源、传感器调理电路）中提供稳定基准电压，适用于工业控制或消费类设备。 3. 浪涌吸收与缓冲：配合TVS或RC网络，吸收电感负载（如继电器、电机）关断时产生的反向电动势，延长开关器件寿命。 4. 线性稳压辅助电路：作为串联稳压器中的误差放大器偏置或反馈分压参考点，提升输出稳定性。 需注意：该器件为通用型齐纳管，未集成温度补偿，长期高精度应用建议选用带温度补偿的基准源；工作时应确保功耗不超过3W（需合理设计限流电阻并考虑散热），且避免持续工作在最大额定值边缘以保障可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 100V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ100D5E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 76V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 100V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 160 欧姆 |
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